作者：徐泽善 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1983年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1983Z10050 DOC编号：DOCCGQJ1983Z10059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 由于半导体压阻式力传感器具有其它类型的力传感器所不具备的优点，所以已广泛地应用于国民经济的许多部门。但是由于半导体材料固有缺点，使由这种材料制成的力传感器的温度特性变差。在这种情况下，人们研究出许多温度补偿的办法，使传感器的温度特性得以改善。

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