作者： 单位：中国航空制造技术研究院 出版：《航空制造技术》1979年第11期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHKGJ1979110200 DOC编号：DOCHKGJ1979110209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、结构与工作原理 CGW-1单晶硅微压传感器是利用硅的压阻效应，以硅平面工艺为基础制成的一种新型压力传感器，也称压阻传感器。其结构如图。硅膜片组件是传感器的核心，在N型(111)硅膜片(图右部)的&lt；110&gt；晶向上，在等效应区扩散12个P型电阻，选择一组最佳电阻组成电桥，以直径为50微米的金丝热压焊在扩散电阻的铝电极上，并将另一端以锡焊联到绝缘子的柯伐丝上，组成四臂全差动惠斯登电桥。膜片与硅环用金硅共熔法形成刚性连接。硅膜片组件装于壳体与隔环中间，用螺纹压盖通过O型密封圈将其轴向压紧，构成密封压力腔，并

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