作者:翁善臣 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1982年第06期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1982060150 DOC编号:DOCYBJS1982060159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文研究了锑化铟外延结构的霍尔传感器,其磁感应强度一直到17特斯拉以前,霍尔常数均不随磁感应强度而变。工业生产的霍尔传感器采用单晶和在半绝缘的砷化镓基底上生长外延层两种型式。单晶型霍尔传感器制做时,磨光工序是十分费

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