作者：Р.М.Бабаев,张建华 单位：国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会 出版：《功能材料》1973年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCL1973Z10240 DOC编号：DOCGNCL1973Z10249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 目前已经得到广泛应用的锗、砷化铟和硅霍尔传感器只能在分别不超过80℃、100℃和150℃的温度中长期使用。制作适于在更高温度中工作的霍尔传感器的一种最有前途的半导体材料要算砷化镓了。与硅相比砷化镓具有更大的禁带宽度，而且室温的电子迁移率也要比硅高3—4倍。此外，最近几年来在制取砷化镓工艺方面所取得的成果保证了这种材料具有足够高的霍尔常数值，从而使砷化镓传感器具有良好的灵

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