作者：DIRK SISCHKA ,宋湘云 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》1989年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI1989040110 DOC编号：DOCMINI1989040119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 只采用一般设计规则所规定的局部图形的特点就能检查光刻掩模版上的多种缺陷。在相邻的芯片图象或外部数据库之间不需要进行比较，不要求度量衡学的高精确性。在包含各种类型缺陷的模拟图象上试验了一些检查准则，例如局部偏离直线性或可采纳的周线角。发现了一些适用的算法，用这些算法，可用高速电路以TV速率显示数据。

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