作者：张靖漓,李标荣 单位：中国科学院上海硅酸盐研究所 出版：《无机材料学报》1988年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWGCL1988020050 DOC编号：DOCWGCL1988020059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文着重叙述了一种合成的新型氧化物陶瓷半导体，确定了其化学分子式、缺陷结构、半导体类型、电导与温度的关系以及氧敏特性。这种新型半导体陶瓷在300～400℃之间可望成为一种对环境温度很不敏感的氧检测器件。

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