作者:刘建卿 单位:西南技术物理研究所 出版:《激光技术》1985年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJGJS1985020160 DOC编号:DOCJGJS1985020169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 85.201 测定碲镉汞和其他合金半导体成分的装置——M. A. Khan,美国专利,No. 4316147,1982年月2日16日公布。该装置用于测定碲镉汞的成分,它包括:产生一对频率不同但在同一线上的激光束的装置;还有探测装置,它接收该发射光束,以便鉴别共振信号峰,根据共振信号峰可以测量自旋能级分裂因子。

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