作者：陈慕章 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》1984年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG1984010200 DOC编号：DOCBDTG1984010209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《弯曲沟道CCD线摄象传感器》PDF+DOC1979年第01期 HIDEO SEI,YOSHIHIRO MIYAMOTO,孙志君 《CCD图象传感器在工业测量中的应用》PDF+DOC1984年第02期 李庆文 《线阵CCD传感器构成的高精度尺寸检测系统》PDF+DOC1997年第05期 凌玉华,杨欣荣,向建平,廖力清 《线阵CCD视觉智能焊缝自动跟踪系统的研究》PDF+DOC1994年第05期 苏勇,王克争,何方殿,潘际銮 《焊缝跟踪线阵CCD传感器系统抗干扰的研究》PDF+DOC1992年第02期 路登平,谷侠,赵家瑞,孙栋,胡绳荪 《硅CCD固体摄像器件的进展及其应用》PDF+DOC1985年第01期 孙志君 《CCD摄象传感器用作彩色摄象机》PDF+DOC1980年第04期 维东 《转移效率高达99.996%的线阵CCD传感器》PDF+DOC1980年第06期 奇杰 《CCD的应用现状及其发展前景》PDF+DOC2005年第05期 张晓华,张认成,龚雪,黄湘莹 《用线阵CCD传感器测量工件外轮廓尺寸》PDF+DOC2004年第05期 段志姣

    • 线阵CCD摄象传感器的栅氧化，是制作整个器件的一个关键工艺，采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化，已能获得高质量的二氧化硅层，其表面态密度一般控制在4&#215；10~(10)/cm~2&#183；ev左右(最低可达9.1&#215；10~9/cm~2&#183；ev)。本文着重叙述了氧化层参数与工艺的关系和实验中的一些做法，对TCE氧化的工艺条件进行探讨。

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