作者： 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》1986年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW1986020240 DOC编号：DOCJGHW1986020249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、红外器件2001 InSb CID探测器工艺现状Status of CID InSb detector technology，M.D.Gibbons，Proc.SPIE，Vol.443(1984)，pp.151-166.本文全面地评述锑化铟电荷注入器件的工艺及其机理，介绍InSb线列的制备方法、读出机理和性能，其线列可达512元。[义]2002 InAs(1-x)Sb_x的带间复合Band-to-band recombination in InAs(1-x)Sb_x，A.Rogalski，Poland，Infrared Phys.，1985，Vol.25，No.3，pp.551-560.计算了温度范围为77～300K和组分范围为0≤x≤1的InAs(1-x)Sbx中的辐射和俄歇复合载流子寿命，研究了直接能隙半导体中的可能俄歇复合机理。计算了俄歇率，包括n型半导体的玻尔兹曼统计量和非抛

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