《简讯》PDF+DOC
作者:
单位:中国电子科技集团第四十四研究所
出版:《半导体光电》1988年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTG1988020200
DOC编号:DOCBDTG1988020209
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《1990年总目录》PDF+DOC1991年第01期
《光波技术的未来》PDF+DOC1986年第01期 晨维,仲振
《简讯》PDF+DOC1989年第02期
《简讯》PDF+DOC1989年第03期
《简讯》PDF+DOC1989年第04期
《图像传感器及其形成方法》PDF+DOC2019年第08期
《国内简讯》PDF+DOC1994年第01期
《消息及其他》PDF+DOC1993年第11期
《光电子技术》PDF+DOC2010年第06期
《半导体激光器的温度控制器的设计》PDF+DOC2007年第32期 闫晓梅,张记龙,徐振峰
要在Si衬底上制作GaAs及其它Ⅲ—Ⅴ族材料,面临两个主要问题:一个是非极化单晶上生长单一极化单晶的问题;另一个是Ga_(0.47)In_(0.53)As与Si之间大的晶格失配(Δa/a~3%)问题。英国Plesey公司报导了采用大气MOCVD在Si上生长出Ga_(0.47)In)_(0.35)
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。