作者：程开富 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》1988年第02期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG1988020110 DOC编号：DOCBDTG1988020119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文简述了国外金属硅化物(Au—P—Si、Pd_2Si、PtSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件(SB—IRCCD)的发展动态。其次展望了长波(1～12μm)肖特基势垒的发展趋势。

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