作者：张玮祎,胡明,刘星,李娜,闫文君 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2016090040 DOC编号：DOCWLXB2016090049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用纳米球光刻和金属辅助刻蚀法以p型单晶硅片制备了硅纳米线阵列，并以此作为基底，通过溅射不同时长的金属钒薄膜并进行热退火氧化处理，制备出硅纳米线/氧化钒纳米棒复合材料.采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了该复合材料的微观特性，结果表明该结构增大了材料的比表面积，有利于气体传感，并且镀膜时间对后续生长的氧化钒纳米棒形貌有明显影响.采用静态配气法在室温下测试了该复合材料对NO_2的气敏性能，气敏测试结果表明沉积钒膜的时间对复合材料的气敏性能影响较大.当选择合适的镀膜时间时，适量氧化钒纳米棒增加了材料表面积并形成大量pn结结构，相比纯硅纳米线对NO_2气体的灵敏度有明显提升，且在室温下表现出优良的选择性.同时，对气敏机理做了定性解释，认为硅纳米线与氧化钒纳米棒之间形成的pn结及能带结构在接触NO_2时的动态变化是其气敏响应提升的主要机制。

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