作者：张汉三 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》1986年第05期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ1986050010 DOC编号：DOCBDTQ1986050019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、高集成化发展的必然趋势二十几年来半导体集成电路技术有飞跃的发展。以硅动态随机存取存贮器(DRAM)为例，1972年开发成功1K产品，到1985年就已有1M位产品问世，其集成度大约是每三年翻两番。这种集成度的提高，主要是依靠改进器件和电路设计、增大芯片面积以及缩小图形尺寸而得以实现的。但就目前的电路设计来说，一晶体管型存贮单元DRAM的开发已接近简化的极限。因此今后将主要是依靠增大芯片面积和缩小图形尺寸。

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