作者：D.SOBCZYNSKA,W.TORBICZ,李华 单位：北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 出版：《仪器仪表与分析监测》1987年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQYB1987030010 DOC编号：DOCYQYB1987030019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 引言在PH值敏感场效应晶体管中(PH-ISFET)Si_3N_4薄层常被用作栅薄膜。然而，由于PH值测量有着十分重要的意义，所以对其它薄层，如氮化物、氧化物薄层也进行了研究。 ISFET计量参数之有限的稳定期间是表明有必要对新型栅薄膜进行研究的诸因素之一。应该指出，栅薄膜不同，相应的ISFET栅电压对PH值的依赖关系之线性范围也就不同。同时，研究ISFET薄膜也是研究薄层特性的一个合适的方法。本文给出了用蒸镀法制备的ZrO_2薄层作为ISFET栅极的(实验)结果。这样的场效应管有着优良的灵敏度稳定性，其值与由

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