《硅增强靶摄象管的动态范围与增强段MTF的关系》PDF+DOC
作者:郑玉才
单位:信息产业部南京电子器件研究所
出版:《光电子技术》1986年第01期
页数:8页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDJS1986010000
DOC编号:DOCGDJS1986010009
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本文讨论硅增强靶摄象管的外动态范围。摄象机的自动光量控制系统可使光动态范围高达10~8∶1,从而实现全天候工作。为使该控制系统有效地发挥作用,要求SIT管在高压3~9kV范围内随控制系统变化时都能提供较好的分辨率,即较高的调制传递函数MTF、特别是在3kV时分辨率不致降得很低。为此,我们利用了“象管电子光学FOR TRAN通用程序”,在SIEMENS 7760计算机上对两种摄象管增强段的电子光学系统及其MTF进行了计算与分析,其结果与实际较为符合。计算与分析的具体内容有:两种管型在不同加速电压下的MTF曲线;400TVL的调制度随加速电压的变化;MTF随象面位置偏离的变化;在不同加速电压下的400TVL调制度随象面位置的变化;最佳工作点与最佳靶面位置的选择等,最后对动态范围的有关参量进行了初步探讨。
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