《磷化铟材料研究》PDF+DOC

本报告报导的有关InP材料的研究工作是在1982年10月至1983年9月30日期间，在空军部资助下完成的。资助中的一部分是罗姆空军发展中心提供的。本计划的当前目标是改善用作晶体生长原材料的高纯多晶磷化锢的生长和建立最佳液封直拉法(LEC)，以便生长出具有低缺陷密度，低剩余杂质浓度和均匀掺杂浓度的单晶。我们共合成了二十三个InP锭条。在77K下，迁移率有的高达8.6&#215；10~4cm~2V~(-1)s~(-1)。从两个不同炉子合成的锭的头部切下的样品，测量得到的迁移率平均值分别为6.7&#215；10~4和2.8&#215；10~4cm~2V~(-1)s~(-1)。研究迁移率存在这一显著差别的更进一步的实验正在进行。由英国皇家信息雷达研究中心提供的在高磁场下的光荧光数据表明，在最高纯度的多晶锭中，S是主要施主。从富锢熔体中生长了几个标称为非掺杂LEC锭。从这些锭中的一个锭上切下的样品，77K下迁移率为7.0&#215；10~4cm~2V~(-1)s~(-1)，这是迄今报导过的LEC InP晶体的最高值。根据皇家信息雷达研究中心的光荧光数据，一类还未被确认的粒子(可能是本身固有的缺陷)在高纯I.....。

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