作者：刘付德 单位：西安交通大学 出版：《西安交通大学学报》1989年第S1期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXAJT1989S10070 DOC编号：DOCXAJT1989S10079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报导了用直流平面磁控溅射法在 Z—LiNbO_3传声介质上淀积出优质的氮化铝(AlN)压电薄膜制成的微波体声波延迟线。文中对该器件的工作原理、结构和设计进行了详细的描述。用 AlN 压电薄膜的一维纵振动模作激励和接收声波制得的单端反射式微波体声波延迟线，在中心频率为2.21GHz 时测得其延迟时间 t_1和 t_2分别为1.83μs和3.66μs、插损为22dB、带宽(3dB)为13%、驻波比为1.15。

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