作者：智 单位：河北工业大学 出版：《河北工业大学学报》1985年第03期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHBGB1985030180 DOC编号：DOCHBGB1985030189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 材料研究中心副主任兼半导体材料研究室主任徐岳生同志自一九八二年起主持进行了“中子嬗变掺杂硅的制备及其在中小功率器件和硅压阻器件中的应用”研究。截止八四年底在几个工厂推广都有良好的经济效益，使器件成品率平均提高了10—20％，将中子幅照在国内首先用于硅压阻器件生产中，改善了器件电参数，提高了产品的成品率。在一九八四年六月召开的全国传感器学术讨论会上得到好评。该项目获一九八四年河北省科技成果三等奖。除此之外，徐岳生

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