作者：谭芷琼 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1986年第03期 页数：12页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1986030030 DOC编号：DOCGDJS1986030039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 氢化非晶硅系薄膜(a-Si：H、a-Si：F：H、a-Si_(1-x)C_x：H、a-Si_(1-x)C_x：F：H、a-Si_(1-x)N_x：H、a-Si_(1-x)Ge_x：H、a-Si_(1-x)Ge_x：F：H……)是新型电子材料，具有广阔的应用前景。本文综述氢化非晶硅系薄膜的制备方法，并通过局域化隙态能级的分析来讨论薄膜的光学和电学特性，最后介绍薄膜的应用。

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