作者:Stefan Geisenheyner ,闻亦真 单位:上海航天技术研究院 出版:《上海航天(中英文)》1989年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFSHHT1989040120 DOC编号:DOCSHHT1989040129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 自从1958年两名美国科学家首先研制成单片电路以来,平均每两年半就要推出新的DRAM(动态随机存取存储器),每一代新芯片的容量是前一代的4倍.同时价格亦随着经验的丰富和产量的增加而不断降低.单片电路迅速发展的动力是军事需要和航天活动,其结果导致了许多新型武器及系统,如精密制导导弹;有效的电子战设备;侦察卫星;机载电子设备;计算机化通信设备;电光器件;制导炮弹等.但在许多应用中,暴露了这种硅片电路的局限性,如硅片对温度很敏感,需要散热;对离子辐射也很敏感,为此需要有电磁脉冲屏蔽.但最主要的

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