作者:吴宪平,鲍敏杭 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1987年第01期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1987010040 DOC编号:DOCCGQJ1987010049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文论述了用于固态传感制备的〈100〉和〈110〉晶向硅片各向异性腐蚀的特点和机理;对掩模图形边缘取向和(100)硅矩形台而凸角处的削角现象进行了探讨;对各种各向异性腐蚀剂的配方与性能进行了对比;并列腐蚀残留物成分与形成条件进行了分析与研究。

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