作者：王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧 单位：中国物理学会发光分会;中科院长春光机所 出版：《发光学报》2016年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFGXB2016030130 DOC编号：DOCFGXB2016030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发 《可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法（英文）》PDF+DOC2015年第01期 徐超,高静,高志远,韩立镪,姚素英 《CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理》PDF+DOC2017年第10期 冯婕,李豫东,文林,周东,马林东 《高光谱成像用高速CMOS图像传感器设计》PDF+DOC2020年第04期 冯国旭,刘昌举,刘戈扬,李明,徐江涛 《CMOS图像传感器关键技术及其新进展》PDF+DOC2004年第11期 刘静,杜明辉 《深亚微米CMOS有源图像传感器技术》PDF+DOC2003年第04期 裴志军,国澄明,姚素英,赵毅强 《低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现》PDF+DOC2009年第02期 徐江涛,李斌桥,姚素英,任张强 《高动态范围条件重置方法的改进研究》PDF+DOC2008年第31期 孙立雷,朱玮,王春阳,刘华军,张鹏 《一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器》PDF+DOC2014年第05期 吴治军,李毅强,阳怡伟 《国内CMOS图像传感器的研制与开发状况》PDF+DOC2005年第02期 程开富

    • 为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导，对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验，着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明，随着温度的升高，样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e，饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN，并且暗电流从22.9 e&#183；pixel-1&#183；s-1增长到649 e&#183；pixel-1&#183；s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低；饱和输出的降低则是因为转换增益的降低，因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。

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