作者：友清 单位：中国科学院上海光学精密机械研究所 出版：《激光与光电子学进展》1989年第09期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGDJ1989090040 DOC编号：DOCJGDJ1989090049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 美国高技术传感器公司获得一项受调制红外源专利，该源用硅制作，可产生和调制3～12μm的宽带红外辐射。其应用包括作非色散红外气体分析器和红外制导、红外成象系统的内装检验源。器件的工作原理是将P班经构加热到500K，将载流子注入半导体本征区，改变该区的发射率，从而对红外输出产生调制。

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