作者：何野,魏同立,沈克强 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1988年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1988030090 DOC编号：DOCBDTX1988030099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文对磁敏MOS器件进行了计算机模拟，提出用分区域方法进行器件的两维数值分析，有效地降低了计算费用.井利用BFGS方法，对磁敏MOS 器件进行了优化设计，分析结果表明，宽长比W/L为0.82的磁敏器件有最高的灵敏度，实验结果证实了这一理论预测。

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