作者： 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1988年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1988030140 DOC编号：DOCYDSG1988030149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、声表面波技术 108 沿两种材料间的ZnO层传播的界面声波——入野俊夫：《电子情报通信学会论文誌(日文)，1987：J70-C(1)59—68 研究了在SiOz/ZnO/SiO_2、SiO_2/ZnO/硼硅酸玻璃和SiO_2/ZnO/(z-x)Si等一些三层结构中的ZnO薄膜上传播的SAW与ZnO膜厚的关系。亦分析了不同器件结构中的机电耦合系数，测得了延迟线的临界温度，根据实验结果可选择适于制作SAW器件的ZnO基片。 109 采用ZnO/ AlN/玻璃基片的高耦合高速度SAW—Shiosaki T.：1985 Ultrason Symp.Proc.，186—191 报道了与三层结构SAW器件中的SAW传播有关的各种特性。在Kovar玻璃基片上制作了AlN压

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