作者：陈庆贵,史日华,姚友龙,邬华,董荣康 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1988年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ1988030040 DOC编号：DOCBDTJ1988030049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文着重于SOS材料制备及提高其性能的工艺.并用它研制成硅-兰宝石半导体压力传感器及LC4023和LC4027辐射加固的CMOS/SOS集成电路.其主要性能为国内领先，达到八十年代的国际同类产品的水平，并已用于工业部门。

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