作者：程开富 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1989年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1989010040 DOC编号：DOCGDJS1989010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 四、MSSBIRCCID焦平面阵列的典型结构固体图象传感器的基本结构是约于七十年代前半期确立的，主要依靠超大规模集成电路技术的发展，使其实用化。可是，为实现小型化、高分辨率，若按以往的方式欲缩小象元尺寸是非常困难的，因此，目前有必要重新研究其基本结构。以往的固体图象传感器的主要工作模式是行间转移(Interline Transfer——IT)CCD和MOS方式。在IT—CCD和MOS技术的基础上，1985年日本报导了480&#215；400元CSD图象传感器。下面简要介绍CSD的结构、工作原理、特点及具有CSD结构的MSSBIRCCID焦平面阵列的典型结构。

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