作者：张佐兰 ,田耘 ,简耀光 单位：东南大学 出版：《电子器件》1989年第01期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ1989010040 DOC编号：DOCDZQJ1989010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、引言 硅膜广泛用于集成电路和传感器中。硅膜厚度及其均匀性对器件性能影响很大，尤其制备SiO_2上的硅膜是实现集成电路三维结构的关键，它将增加器件设计的灵活性。因此，近年来薄膜制备技术的研究十分活跃。以往固态传感器中常用机械研磨和化学腐蚀方法获得微结构，例如：薄膜、埋层和悬板等，但受到硅膜表面状态和机械强度的限制，最薄只能达到10μm以上。本文将综述硅膜的制备方法，简要介绍用电化学腐蚀自停止方法制取(1～2)μm，均匀性为80nm左右硅膜的实验结果及其在传感器中的应用实例。

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