作者：田民波,王英华,汤海鹏 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》1989年第06期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX1989060000 DOC编号：DOCZKKX1989060009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用烧结多晶碳化硅靶采用射频溅射制取了SiC薄膜；通过加热基片和镀后的高温退火实现了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变；利用AES、XPS、TEM、IR、UPS等对SiC薄膜的成分、结构、形貌、结合状态进行了分析；研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象；制取了SiC薄膜温度传感器；对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。

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