作者：赵甘鸣,鲍敏杭 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1989年第09期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1989090070 DOC编号：DOCBDTX1989090079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文报道了计算择优生长的多晶硅压阻灵敏度的统计平均理论，由此得到了〈100〉、〈110〉〈111〉、〈211〉、〈311〉、〈331〉等低指数晶向择优生长的p型和n型多晶硅的平均晶粒压阻系数.将这些结果应用到具有多重择优晶向的多晶硅材料，经过计算可进一步得到多晶硅力敏电阻的灵敏度.对于制作在矩形膜中心区域的一系列多晶硅电阻，实验得到的结果与理论分析的结果符合得很好.这些结果为多晶硅压阻型压力传感器的设计提供了有效的手段。

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