作者：陆荣铿 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》1986年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ1986040110 DOC编号：DOCHWYJ1986040119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 有一种新颖的外延HgCdTe，其p型的迁移率大于250cm~2/V.s，而n型的为100000cm~2/V.s。载流子浓度P型的为2&#215；10~(17)/cm~3，而n型的为5&#215；10~(14)。据说，高迁移率、低载流子浓度的材料在红外传感器上将有新的用场。

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