作者:李增发,张光寅,钱华,王文斌 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》1985年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX1985020150 DOC编号:DOCBDTX1985020159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 在Si单晶片两面加一方波电压,晶体中将产生周期热流.理论分析表明,存在着两种不同起因的热流,并可由一实验上的阈值电压加以区分.我们用压电陶瓷对产生的热流进行了测量,用测得的阈值电压计算了样品的参数,得到了满意的结果。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。