作者：陶明德,谭辉,曲风钦,李国华,韩英 单位：中国仪器仪表学会;上海工业自动化仪表研究院 出版：《自动化仪表》1988年第01期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDYB1988010030 DOC编号：DOCZDYB1988010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 高频溅射生长的SiC非晶薄膜是一种含有Si-Si、Si-C、C-C键的混非晶结构。文中着重介绍了SiC非晶薄膜的直流电导、交流特性、退火性质、老化特性和R-T特性，为SiC薄膜温度传感器的设计提供了理论依据。

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