《一种新型的高增益MOS磁敏场效应传感器》PDF+DOC
作者:李华
单位:北京京仪仪器仪表研究总院有限公司
出版:《仪器仪表与分析监测》1988年第02期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYQYB1988020090
DOC编号:DOCYQYB1988020099
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1.前言很早人们就已知道可以把一个MOS场效管(MOSFET)用作霍尔器件。最近,人们研制出一种称为MAGFET的对漏MOS场效应管用于磁场的测量。然而,在能够把一个能实用的仪器与一个MAGFET联在一起使用之前,还存在一些问题有待解决。对于一个MAGFET来说,是否存在某种理想的几何图形?都有些什么可能的方法来改进这种传感器的性能?传感特性和温度的关系怎样?可以利用VLSI(超大规模集成电路)工艺来获得较高的灵敏度吗? 本文给出了在不同的几何形状下n沟MAGFET的一些实验结果。在较宽的温度范围内对传感参数的特性进行了测量。本文还给出了一种新的互联多个MAGFET的方
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