作者:程志奇 单位:中国仪器仪表学会;上海工业自动化仪表研究院 出版:《自动化仪表》1988年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZDYB1988040120 DOC编号:DOCZDYB1988040129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 一、霍尔器件霍尔器件是人们发现最早的一种磁传感器,1879年美国人霍尔在研究电动机原理时发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔器件并用它来测量磁场。但是,由于金属中的霍尔效应很弱,当时并没有引起人们的重视。1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料-锗(Ge),接着,又在1958年前后,人们对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等进行了大量的研究,并制成了各种霍尔器件,这时霍尔器件及用其组成的各种磁传感器,测试仪表才得以广泛的应用,受到了应有的重视。近年来,随着半导体工艺的发展,霍尔器件的性能又有了较大地提高,目前已发展到薄膜化、集成化的阶段。因此用霍尔器件构成的各种传感器已在磁场检测、仪器仪表及自动控制等领域中得到了广泛的应用。

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