《“磁传感器及其应用技术”讲座 第二讲 霍尔传感器(一)》PDF+DOC
作者:程志奇
单位:中国仪器仪表学会;上海工业自动化仪表研究院
出版:《自动化仪表》1988年第04期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFZDYB1988040120
DOC编号:DOCZDYB1988040129
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《霍尔效应发展的学习思考》PDF+DOC 熊小飞
《霍尔传感元器件及其应用(连载四)》PDF+DOC2001年第12期 涂有瑞
《浅论霍尔效应的发展及其应用》PDF+DOC2012年第01期 朱孟正,赵春然
《霍尔效应的应用及其展望》PDF+DOC2012年第18期 祝强,刘艳凤
《霍尔效应的发展及应用》PDF+DOC2010年第02期 张勇,孟建新,杨红英,张银铃
《霍尔效应的应用与发展》PDF+DOC2007年第04期 程姝丹,张强
《霍尔传感元器件及其应用(连载一)》PDF+DOC2001年第09期 涂有瑞
《霍尔元件的特点及应用》PDF+DOC1998年第04期 王世康
《霍尔效应与霍尔器件》PDF+DOC2010年第21期 闫迎利
《霍尔传感元器件及其应用(5)》PDF+DOC2002年第Z1期 涂有瑞
一、霍尔器件霍尔器件是人们发现最早的一种磁传感器,1879年美国人霍尔在研究电动机原理时发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔器件并用它来测量磁场。但是,由于金属中的霍尔效应很弱,当时并没有引起人们的重视。1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料-锗(Ge),接着,又在1958年前后,人们对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等进行了大量的研究,并制成了各种霍尔器件,这时霍尔器件及用其组成的各种磁传感器,测试仪表才得以广泛的应用,受到了应有的重视。近年来,随着半导体工艺的发展,霍尔器件的性能又有了较大地提高,目前已发展到薄膜化、集成化的阶段。因此用霍尔器件构成的各种传感器已在磁场检测、仪器仪表及自动控制等领域中得到了广泛的应用。
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