作者：张屏英,崔吾元,朱广良 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1987年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ1987040130 DOC编号：DOCBDTJ1987040139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了用MOS工艺制作的直接栅电场敏感FET，对其敏感特性进行了实验研究和理论分析.室温下，用此器件在空气中检测电场时，在外加电场小于空气击穿场强的范围内，器件的电流-电场跨导大于2μA/(kV/cm).用直接栅FET和普通MOSFET作差分对，利用栅绝缘层上压降正比于外电场的原理，用反馈和差分放大组合电路制作电场传感器.得到了0.2V/ (kV/cm)的线性输出。

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