作者：王言,鲍敏杭,晋琦 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1986年第05期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1986050090 DOC编号：DOCBDTX1986050099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文从理论上和实验上对剪切应力对力敏电阻的压阻灵敏度影响进行了研究.在本文的分析中，取消了已往工作中对力敏电阻设计的取向限制，在计入剪切应力项作用的情况下，得到了(100)、(110)，(111)圆硅膜和(100)方膜和长方膜上力敏电阻的压阻灵敏度表式.结果的解析形式及其曲线图示表明，在一般情况下，剪切应力项可以有很大的影响.为了证实这些分析的正确性，在长方形n型(100)硅膜上扩散制造了五个有不同取向角的电阻.这些电阻的压阻灵敏度对取向角关系的实验结果表明，剪切应力项的作用不可忽略.由于目前所见的关于压阻传感器的文献中都没有对剪切应力的作用足够重视，本工作的结果对力敏电阻设计提供了有用的资料。

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