作者：S.POPOVIC,P.BALTES,李华 单位：北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 出版：《仪器仪表与分析监测》1986年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQYB1986010180 DOC编号：DOCYQYB1986010189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、前言为将磁敏感结构作为硅传统集成电路的一部分集成起来，发展了一种集成电路。它们一般用作位置传感器(如用在键盘、机床电机上等)，磁电极，交流/直流电流传感器等。第一个磁敏MOS器件是由Gallagher和Corak发明的MOS霍尔元件。这种器件可以获得10~3V/AT的灵敏度。由Fry和Hoey设计的一种对漏MOS晶体管电路可

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