作者：童勤义 ,黄金彪 单位：东南大学 出版：《电子器件》1986年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ1986Z10020 DOC编号：DOCDZQJ1986Z10029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 目前所报道的流量传感器的结构基本相似，即由一个加热元件和位于其两侧的温度敏感元件组成。当气体流动时在芯片两端产生温度差，因而从两侧的温度敏感器件中得到量度流量体速度的电讯号。但是，为提高灵敏度必须增大芯片面积，带来两侧元件的失配及成品率下降。前所报导的流量传感器还需用到其它热电材料，工艺复杂性增加。我们根据MOS器件的亚阈值温度特性，利用控制芯片温度恒定所需的加热功率的变化量作为流体速度的量度，研制成功一种新型的MOS流量传感器，其灵敏度高，结构简单，芯片面积小且与MOS工艺完全兼容。

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