作者：卢建国,隋兆文,熊斌,王文珍,陈芬和,王渭源 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1988年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1988040050 DOC编号：DOCCGQJ1988040059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为：波段为8～14μm，电阻值为4&#177；1kΩ，响应率为10～15V/W，时间常数&lt；100ms，探测值D~*～1&#215；10~8cm (Hz)~(1/2)/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。

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