作者:惠恒荣,秦学超,李建强,恽正中 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1989年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1989010100 DOC编号:DOCCGQJ1989010109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文介绍了一种成本低廉、灵敏度高的新型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜温度传感器的工作原理、样品结构和制备方法。同时还报导了作者对这种传感器研制的初步结果。

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