作者：邢昆山,许学敏,林成鲁,陈莉芝,谭松生,邹世昌 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》1989年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU1989010190 DOC编号：DOCDZXU1989010199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV，5&#215；10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶，获得了高灵敏度的压阻材料，其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm&#215；40μm，且杂质分布均匀，电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器，灵敏度为6mV/V bar，具有良好的输出线性度。

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