《单晶硅压力传感器技术进展》PDF+DOC
作者:黄鸿雁
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1986年第02期
页数:10页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1986020030
DOC编号:DOCCGQJ1986020039
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硅材料可分为单晶硅、多品硅和非晶硅。从结构上来说,单晶硅最简单,非晶硅最复杂。用这三种材料都可以制造压力传感器。这些压力传感器大致可以分成四种形式,即压阻式、电容式、MOS式和薄膜式。前三种主要以单晶硅制造,后一种主要以多晶硅和非晶硅制造。目前制造压力传感器仍以单晶硅为主,但从发展趋势来看似有向多品与非晶的薄膜式方向进展的势头。
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