《中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶在压阻传感器中的应用》PDF+DOC
作者：项兴荣
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
出版：《半导体技术》1988年第01期
页数：2页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFBDTJ1988010190
DOC编号：DOCBDTJ1988010199
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半导体器件用的硅单晶，通常是在直拉或区熔时从外部引入杂质制备的，即在硅单晶体生长时掺入所需杂质.因此，在掺杂时，由于杂质在硅中的分凝效应，导致掺入杂质分布的不均匀，再加上拉晶工艺因素的影响，使硅单晶产生杂质条纹等缺陷，使单晶在轴向和径向都会有较大的掺杂分布起伏，导致单晶电阻率的非均匀性.对大直径、高电阻率的硅单晶电阻率的不均匀性更为突出.硅压阻传感器对硅单晶电阻率的均匀性同样有较高的要求，如果原始单晶电阻率均匀性
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