作者：松岡祥隆 ,保川彰夫 ,宋尔纯 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1986年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1986040130 DOC编号：DOCCGQJ1986040139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅压力传感器》PDF+DOC1996年第03期 张维新,毛赣如,姚素英,曲宏伟 《半导体硅压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 张维连 《智能压力传感器》PDF+DOC1993年第S1期 马文,陈书洗,范仕荣 《用于压力传感器的元件》PDF+DOC1990年第05期 吴琼 《提高方形硅膜压力传感器灵敏度的几个重要措施》PDF+DOC1992年第03期 冯景星 《集成型压力传感器》PDF+DOC1985年第01期 范正田 《兰宝石—硅膜的压阻效应》PDF+DOC1987年第02期 黄鸿雁 《扩散硅压力传感器》PDF+DOC1983年第01期 彭斯福 《电子秤的制作与校准实验》PDF+DOC 戴玮,段天权,刘欣 《半导体压力传感器研制现状与开发动向》PDF+DOC2007年第07期 宋晓辉,任道远

    • 本发明是应用在半导体单晶体内扩散电阻的半导体应变计来检测压力的压力传感器。 此种压力传感器，是对n型硅之类半导体的单晶体选择扩散p型电阻，外加压力，使半导体单晶体发生应变，利用压阻效应测出p型电阻元件的电阻变化值，便知外加压力的大小。压力传感器的硅膜片结构如图1(a)和(b)所示。它由硅膜片1和硅座3及金属座4构成。硅膜片1上有对n型硅单晶开槽形成的应变部件11和固定部件12，采用扩散p型杂质法使应变部件11上形成应变电阻21、22、23和24，并

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