《涂丝锰离子场效应传感器的研制》PDF+DOC
作者:俞宝明,李幼荣
单位:中国仪器仪表学会
出版:《化学传感器》1989年第03期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXCH1989030110
DOC编号:DOCHXCH1989030119
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离子敏感场效应传感器(简称 ISFET)是1970年由 P.Bergveld 首先报道的,此后国内外不少学者如此做了研究。作者利用高锰酸十六烷基三甲基铵缔合物为电活性物质,用二正辛基苯基磷酸酯为增塑剂,研制成新型 Mn~(2+)-ISFET。经测定该器件的性能参数为:线性范围10~(-1)~3.2×;10~(-4)mol/L,检测下限可达1.6×;10~(-4)mol/L,灵敏度为29±;1mV。
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