《SnO_2栅MOS型一氧化碳传感器》PDF+DOC
作者:邹德恕,王东凤,刘永刚
单位:北京工业大学
出版:《北京工业大学学报》1987年第03期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBJGD1987030140
DOC编号:DOCBJGD1987030149
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1.结构及工艺制造 SnO_2栅MOS型一氧化碳传感器芯片集成了一氧化碳传感器,内部加热电阻,测温二极管三元件。我们研制的MOS传感器的基本尺寸与参数如下:光刻版栅长为10μm,衬底电阻率为0.5~1Ωcm光刻版栅宽为5338μm,开始电压V_T为2~3V,柵氧厚度为500(?),几何图形如图1。
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