作者：郑莉光,孙良彦 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1989年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1989030000 DOC编号：DOCCGJS1989030009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • NiO是一种由金属缺位而形成的P型半导体，在较高的温度下(600℃以上)，NiO材料的电阻率与氧分压有关，而且杂质对其性能影响很大。掺入一价杂质(Li_2O)，材料电阻率降低，氧分压对其影响减弱；掺入三价杂质(Al_2O_3)，材料电阻率增高，氧分压对其影响加强。据此，我们做出了直热式烧结型氧传感器，并将其用于气相色谱仪中，测量高纯气体(N_2，Ar)中微量氧，还制备了 Ni_(1-x)MgO_x材料的氧传感器，降低了还原性气体对测氧的干扰。

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