《钯栅MOS氢敏传感器稳定性的研究》PDF+DOC
作者:刘仲明
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1987年第Z1期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1987Z10340
DOC编号:DOCCGQJ1987Z10349
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本研究的目的是从提高钯栅表面活性出发,探索克服钯栅的“起泡”效应,提高器件稳定性的措施。 我们采用半导体集成工艺,获得n沟道MDSFET,溅射厚500A的钯栅,然后在298℃流动空气中活化半小时,发现已活化的钯栅表面呈均匀致密活化层,经多次使用后未
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