作者:K.Suzuki,何大安 单位:中国航天科技集团公司第七O四研究所 出版:《遥测遥控》1989年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYCYK1989020080 DOC编号:DOCYCYK1989020089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。

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